B00 · 抽样10篇_主分析师笔记

ECOC 2026 抽样10篇：逐页看图笔记 + OCR/看图对比

A. 两种读取方式实测对比（同一批10篇、131页）

项目	本地OCR（tesseract, 150dpi）	云端看图
有效识别	131页中24页几乎无文字（<60字符），其中约13页是有内容的页	131页全部可读
整篇失败	Marvell 10页中9页识别为空（斜拍、低对比）；Coherent 14页中4页为空（含LightCounting预测图页）	无
倒拍页	Lumentum 4页180°倒拍，OCR输出乱码（选型矩阵页整页丢失）	正常读出
表格数字	Aston放大器汇总表：14–19.5→“14-195”、5–7.5→“575”、~75丢失	数字、单位、条件完整
图表/曲线/眼图	全部丢失（BER曲线、增益谱、功耗表、星座图）	可读坐标与数值，可判断能否作为配图
Token	OCR过程0 token；读OCR文本约130 token/页	约1,700–1,900 token/页（两页拼一图）

结论：OCR只适合做索引和分类，不能作为洞察的数据来源；关键页必须看图。

B. 材料形态观察（影响全量处理）

• 重复页比例高：连拍同一页、放大局部（Oracle 2/11、Coherent 约5/14 为重复或局部放大）；讲者照片、章节过渡页、致谢页约占10–15%
• 版式混杂：投影照片、电子版截图（Nokia PDP）、讲义式一页4张（Aston），后者需单页高分辨率渲染
• 180°倒拍、斜拍、低对比都存在，需要自动旋转与去重预处理

C. 逐篇笔记

01 Oracle（OCI）超算光互连需求 — DAY1 A1 Su1-A-02，11页

• p1 OCI AI集群规模：2020 16,384 GPU(1x) → 32,768(2x) → 65,536(4x) → 2026 131,072 GPU(8x)；使能：Zettascale RDMA、超低时延、网络韧性、负载均衡
• p2 NIC速率 2017 25G→50→100→200→400→800→2026 1600 Gbps，“网络集群性能提升256x”
• p3 OCI RDMA 多平面 scale-out：Tier-0/Tier-1，k个fabric plane，rail-disjoint；挑战：RDMA无损传输对扰动敏感、大规模下低概率事件变频繁、Zettascale下网络功耗不可忽略
• p4 光源需求的判据=TCO：可靠性/可用性(MFU、服务赔付→直接影响收入)；功耗(让给网络的功率少→算力多)；CapEx(网络相对算力支出逐年上升，不可持续)
• p5-6 800G/1.6T可插拔教训：激光器跳模→波长突变、SMSR劣化、不可纠错误、link flap；固定温度筛选无法检出跳模。措施：非制冷激光器改为温度+电流扫描筛选；在激光器/CoC/模块三级监测SMSR与波长；控制成本先聚焦45–70°C壳温，或改用制冷激光器。图：10–30°C、10°C/min 反复扫温，中心波长~1308–1309.5nm 跳变，SMSR掉坑
• p7 NPO/CPO：误操作收发机是主要失效模式，CPO去掉人工；系统FIT预期高于同等可插拔系统（引Meta OCP2025）；功耗相对全重定时可插拔节省最多50%（200G/lane代，引Nvidia）；理论成本节省30%+（量产前提，引SemiAnalysis）
• p8-10 激光器可靠性：CW激光器是低FIT器件；DML/VCSEL可靠性差被误读为”激光器FIT最高”→不对；ELSFP可插拔性可能是负担（盲插连接器清洁）；耦合损耗降低系统效率；内置/集成激光器应更可靠。引Google OCP2025：200G FR4(主要DML)失效以LD为主(LD低/无功率43.4%，PCBA 22.4%，RX引线键合14.4%)；400G FR4(主要EML)以制造问题为主(RX引线键合59.0%，PCBA 16.4%，LD 8.2%)；现场失效长尾，FW问题居首，无激光器可靠性失效，10–100x改进不容易
• p11 光源属性表：可插拔偏好SiP+CW激光器；NPO/CPO偏好集成激光器（若可行）；波长数/栅格/RIN/线宽/SMSR”可预见未来遵循DR/FR”；可靠性在NPO/CPO需系统级整体考虑；价格”—”
• 重复页：p9、p10为p8右侧两图放大

02 Lumentum（CTO Matthew Sysak）“Who will win? Narrow fast vs. Wide slow” — DAY1 PV-R Su4-I-03，17页

• 注意：p1、p5、p7、p14 为 180° 倒拍（OCR 默认无法识别）；p2 讲者照片；p4 为p3类比页（25 vs 70 限速：城内宽慢，城际窄快）
• 立场：Scale-out = fast & narrow（InP）；Scale-up/scale-in = wide & slow（VCSEL）
• p7 Scale-out 技术选项矩阵（Others/SiPh/InP/TFLN）：BW：InP、TFLN >> SiPh(红)；功耗：TFLN、InP可由SerDes直驱，SiPh需driver(黄)；尺寸成本：InP EML最小，InP MZM比TFLN小5x，TFLN(红)；Reach：MZI可实现chirp可调，环形器件更难(SiPh黄)；HVM：InP、SiPh有能力，TFLN生态刚起步(黄)，Others(红)；λ与温度：TFLN与波长无关，InP热可管理。结论条”High speed/lane InP is highly differentiated with rapidly expanding capacity”
• p8 InP路线图：2008 25G/43G NRZ → 2016 56G PAM4 → 2018 106G PAM4（及差分驱动）→ 2020 200G PAM4 → 224G PAM4 → 2022 384G PAM8 → 225G PAM4 10km、226G PAM4差分驱动 → 2024 400G PAM4
• p9 OFC’25：448G InP EML（Keysight+NTT Innovative Devices+Lumentum 448Gbps基准）；450G InP DFB-MZI 展台演示
• p10 OFC’26：400G+ InP EML眼图；4x400G 1.6T 光模块，基于差分驱动 EML
• p12 Scale-up/scale-in矩阵（VCSEL/SiPh/uLED）：带宽密度多数>2 Tbps/mm，VCSEL可>4 Tbps/mm；功耗：SiPh ELSFP增功耗，uLED与VCSEL无外置光源均可<2 pJ/bit；成本：外置激光器推高SiPh成本；可靠性：VCSEL冗余备份，个位数FIT；Radix：VCSEL用标准MMF可>500 GPU（800G粒度）；Reach：VCSEL、SiPh满足50m，uLED不行；HVM：3DS VCSEL已出货20亿颗发射器；封装：VCSEL/SiPh标准die stacking、CuP <50um pitch，uLED需外延转移；供应链：3DS。结论”VCSEL ideally suited for scale up and scale-in”
• p13 VCSEL波长演进：850nm(1999标准)→940nm(2017 3D传感/Face ID，数十亿发射器)→980nm(2021汽车，高温高可靠)→1060nm(2025提出高密度互连)
• p14 UCIe-A chiplet概念：PD die+VCSEL die on Si interposer，8mm x 8mm，16个阵列(R1-8/T1-8)；32 Tbps双向（8 bundles x 32Gbps x 64 data channels）
• p15 背面出光VCSEL on Si interposer，80发射器阵列，紧密pitch CuP
• p16 OFC：1060nm VCSEL/先进CMOS集成首演：32 Gbps/通道（与UCIe-S/A一致）；>80 Tbps双向光带宽能力；>1.5 Tbps/mm（路径到>4）；<2.5 pJ/bit；BER<1e-12；兼容标准SMT
• p17 ECOC2026：VCSEL/D2D PHY（UCIe）集成首演，与Qualcomm Dragonfly D2D PHY、Corning多模光纤合作；10 Tbps VCSEL+PD光引擎；>1 Tbps/mm shoreline；路径<2.5 pJ/bit；3D FOWLP

03 Coherent（Justin Abbott, GM新兴产品与战略）“CPO: From Industry Promise to Reality” — DAY3 Market Focus 11:00，14页（去重后约9页有效）

• p2 CPO/NPO从”是否”到”何时、如何”：Promise→原型证据(引擎、激光器、封装从概念到实测)→部署信心(裕量、可靠性、可制造性决定时点)；架构将是多元：CPO、NPO、外置/集成激光器、OCI按用例共存；Reach、热、可靠性、可制造性决定时点
• p3-4 Why now：系统压力=集群加速器增多、lane速率升高、功耗预算收紧、铜缆距离受限；光学响应路线 Pluggable→LRO→NPO/CPO→Photonic I/O（光靠近计算）
• p5 LightCounting预测（年云数据中心端口出货，1.6T与3.2T，<2km）：CPO/NPO约2031年超过收发机；非此即彼，二者都增长
• p6 OpenCPX MSA：把可插拔标准化模式带入CPO/NPO（通用形态、复用信号/电源/管理标准、多源、路线图：今天200G，走向400G）；“socket的价值在于创造生态”
• p7-9 ECOC现场演示：6.4T NPO + ELSFP：典型 4.7 pJ/bit；NPO→1.6T FRO(全重定时光模块)误码：32路CPO Tx通道 BER约1e-10~1e-9（均在2e-10到1.2e-9之间），另接1.6T LRO；Keysight N1093B
• p10 激光器策略：外置光源(可维护、可替换、光源与光引擎路线独立如OCI、与ASIC热隔离) vs 集成激光器(密度、交换机内光纤布线、需封装级热与可靠性验证)；“系统需求决定架构”
• p11 架构演进：6.4T外置激光→6.4T集成激光→6.4T混合集成→12.8T OCI；多种架构并行
• p12-13 采用触发：Scale-out约束=功耗和面板密度，触发点=可插拔功耗或面板密度成瓶颈；Scale-up约束=铜缆距离和拓扑，触发点=铜缆距离或retimer功耗成瓶颈
• p14 总结四条：方向已定；预测是真的（约2031年CPO/NPO端口超过收发机）；路径多元；信心决定时点（实测信道裕量、可靠性、可维护性、制造规模）

04 Marvell（Russ Esmacher, SVP/GM Cloud Optics）“Scale Across Architectures” — DAY3 MF 15:40，10页（讲台为Acacia/Cisco展区，注：Marvell Libra/Electra发布内容与DAY4”日期待定”连拍可能重叠，需核对）

• p2 DCI连前端网络；Scale-across把后端网络延伸到数据中心之间；区域/洲际互联；DCI从城域扩展到WAN；WAN DCI转向可插拔（平衡性能与量）；OIF在CL、ZR、ZR+标准化；多个AI仓库组成一个虚拟仓库
• p3 数据中心演进（来源Cisco, OFC/OSA Executive Forum 2026）：前端 7x DCI带宽；Scale-up(数百GPU) 504x；Scale-out(50K GPU) 56x；Scale-across(1M+ GPU) 14x；GPT-5(2025)用约5万-10万+ GPU训练，“当前模型已到单数据中心可训练的极限”
• p4 相干为scale-across基础：IMDD距离受限→ZR-/CL；锚定应用 400ZR/800ZR/1600ZR；延长到ZR+/ZR++；相干向更短和更长距离扩展
• p5 ZR/ZR+可插拔：C+L 51.2 Tbps/光纤；100G→400G→800G→1.6T→3.2T
• p6 Libra 800G ZR/ZR+ DSP：业界首个集成MACsec的800G ZR/ZR+；展台2002演示
• p7 Electra 1.6T ZR/ZR+ DSP：首个2nm 1.6T ZR/ZR+ DSP，业界首个集成MACsec的1.6T ZR/ZR+；1.6T ZR 16QAM星座图（双偏振）
• p8 器件组合：调制器带宽>110GHz(Gen1-4)，探测器>100GHz，放大器(驱动)>145GHz；“支撑1.6T互连的关键器件”
• p9 调制器类型-单元面积-速率：µLED/µVCSEL<MRM<EAM(~100G)<EML InP(200G)<SiPho MZM(200G但面积大)<InP MZM、TFLN MZM(400G，面积最大)；Plasmonics(400G+，面积小)
• p10 等离子体调制器：实测3dB EO带宽990 GHz；C≈30 fF，R<2Ω；有机电光材料、准瞬时Pockels效应；“速度只受电极和封装限制”

05 Nokia Bell Labs + 香港理工 PDP-C-6 “HCF放宽免DSP相干链路的距离速率积” — DAY5 后期论文，14页（原稿40页中选14页，画质清晰，疑为电子版截取）

• p7(幻灯编号) 限制因素：色散影响约随波特率平方和距离增长；O波段色散小但FWM限制多波长；HCF低色散低非线性，可用C波段器件简化接收。引：Petrovich Nat. Photon. 19(2025)；Mahdiraji OFC PDP 2026；ECOC PDP 2026 Microsoft Azure Fiber+南安普顿”首个零色散、电信级损耗(0.2 dB/km)C波段空芯光纤”（112 Gb/s PAM4 56GBd ~15km）
• p10 第二约束=激光器稳定性：窄线宽激光器使模拟载波恢复可行；激光频率噪声影响OPLL稳定与残余相位误差；共享激光器架构是另一条频率稳定DC链路路线（引半导体激光线宽进展图：SiN-SIL到~1 Hz级）
• p13 OPLL回顾（Kazovsky 1990等）
• p16 HCF+OPLL高可靠scale-across：HCF背向瑞利散射极弱→传统基于瑞利的传感难；OPLL控制信号提供前向传感。三角：DSP-free相干接收(成本)/HCF(时延)/前向传感(智能)
• p19 前向传感原理：嵌入DC导频做OPLL相位参考；控制电压携带滤波后的激光噪声与振动信息；电域分离反馈与隔直通信支路
• p21 实验：10 km 支撑管型ST-HCF（YOFC提供，CD~3 ps/nm/km），DP-16QAM，AWG/RTO 256 GSa/s，符号率120/130/140 GBaud；传感 PM Vπ=5V、LPF 500kHz、1 GSa/s、Vescent D2伺服；AOM 200MHz频移、40MHz 3dB带宽
• p23 锁定：两只窄线宽激光器(NLL <100Hz、<1kHz)成功锁定，测试的商用ITLA无法锁定；锁定后16QAM恢复，但激光噪声仍有残余相位误差（36小时频偏曲线）
• p26 NGMI：OPLL与数字载波相位恢复(DCPR)在120/130/140 GBaud相当；140 GBaud DP-16QAM超过21%级联FEC门限NGMI 0.857
• p29 1.12 Tb/s/λ 毛速率 over 10km HCF；净925 Gb/s（21% FEC）；毛速率-距离积 11.2 Tb/s·km/λ且带传感；对比已有免DSP方案均<~750G且多数≤10km（Ref[19] 20km但低速）
• p32 通信与振动传感同时：1 Vpp、100 kHz、10 µs PM激励在数据传输期间可检测；33.2 µs延时对应10km传播；未量化空间分辨率
• p35-37 不同幅度(0.5/1.5/2.5 Vpp ≈30/90/150 nε·m)、时长(5/10/20 µs)、波形(正弦/方波/锯齿)有可区分的控制电压特征；相位误差谱出现振动尖峰（环路带宽~300kHz附近）
• p39 仿真：相位方差与SNR→BER代价，可用通信中断确定传感异常阈值（待实时告警验证）
• p40 结论：HCF+偏振控制+OPLL实现免DSP相干接收；1.12 Tb/s/λ线速、925 Gb/s净，10km HCF；振动特征+33.2µs相关时延；scale-across DCI共享接收实现通信+监测，待现场验证

06 imec/根特大学 IDLab（+NVIDIA） We2-B5 “200 GBaud PAM-4 硅光行波MZM用于400G/lane IM/DD” — DAY4，12页（2页为章节过渡页）

• 需求：400 Gb/s/lane IM/DD需PAM4符号率>200 GBaud；判据：EOE带宽平滑、Vπ兼容CMOS/SiGe驱动、单封装多lane、可量产+与PD原生集成
• 技术对比：TFLN/TFLT、InP(+100GHz、已演示400G+，但低Vπ时尺寸大、CMOS兼容差、晶圆小)；新材料BTO/SOH/石墨烯(无量产准备)；单片硅光：SiGe EAM(+100GHz，已400G+，O波段开发中)、MRM(Tb/s/mm级，但400G需耗电控制电路)、MZM(O+C、宽光谱，但BW-Vπ-损耗折衷)。提问：“基于Si PDE的MZM真的会停止演进吗？”
• OFC2026硅MZM SOTA：AMF 双驱推挽80GHz、112 GBaud PAM8；之江实验室 慢光串联推挽97GHz、135 GBaud PAM8；GF 双驱推挽60GHz、120 GBaud PAM4；Coherent 双驱推挽+67GHz、210 GBaud PAM4
• 器件：PSD(MPW兼容) VπL1.8 V·cm，传播损耗15 dB/cm(C波段)；Cadence联合EOE建模(Verilog-A+2.5D MoM)；双驱推挽GSGSG电极，片上端接37.5Ω(差分75Ω)，PSD长1mm，周期接地缝合抑制寄生模
• 实测：EOE -3dB带宽~67 GHz，Vπ 18V，插损1.5 dB；链路：15 dBm激光、2.7 Vpp/臂驱动、~3.5 dB耦合损耗、EDFA、100GHz PD、120GHz采样示波器、256 GSa/s AWG；TX FIR 13抽头预加重，RX FFE 50抽头
• 结果：400 Gb/s(200 GBaud) BER~1e-3以下 → 低于6.25%开销FEC；425 Gb/s(212.5 GBaud)低于20%开销FEC；448 Gb/s(224 GBaud)高于20%门限
• 结论：“可量产硅TWMZM实现净400 Gb/s/lane”；O波段预期性能相近；对比表：AMF O/C、GF O、之江 O(0.5mm, VπL 0.66)、Coherent O(Vπ=7V, 210 GBaud)、本工作C波段 1mm/1.8 V·cm/1.5dB/~67GHz/212.5 GBaud

07 中科院西安光机所（程超 等，通讯王斌浩）Th2-E5 “倒装集成SiGe APD+CMOS TIA的高灵敏度200G PAM4接收机” — DAY5，15页（p1-6为引言/背景，技术内容从p7起）

• 背景对比：PD无内增益→响应度与灵敏度低；APD雪崩增益→高灵敏度。TIA：SiGe增益带宽积与噪声优，CMOS(28nm/FinFET)功耗与DSP共集成、成本优
• APD：横向SACM(分离吸收-电荷-倍增)结构，-13.5V；优化SACM掺杂、DBR光栅反射、锥形波导；响应度0.55→0.8 A/W（DBR回收光）；暗电流 9.4 µA@-13.5V；增益 31@-13.5V，最大95@-14.5V（-30 dBm输入）
• TIA：28nm CMOS，单通道有效面积0.04564 mm²，总功耗18.7 mW（Buffer 7mW、VGA 4.3mW、TIA 3.1mW、CZ-CTLE ~4mW），S21增益26 dB、带宽>65 GHz，100GBaud奈奎斯特内群时延波动<1.47 ps，S11/S22 0–67GHz ←10dB（RFIC 2026）
• 集成：65nm SOI光子芯片 + 28nm CMOS电芯片倒装焊，接收OE 3dB带宽42 GHz（倒装降低寄生电容电感）
• 灵敏度(SD-FEC门限)：64 Gb/s NRZ -30.2 dBm；100 Gb/s NRZ -26.1 dBm；128 Gb/s PAM4 -23.1 dBm；200 Gb/s PAM4 -20.0 dBm

08 Aston大学（Aleksandr Donodin 等，Lightera、布里斯托大学）Tu1-D3 “S波段及更宽光放大：从材料到部署” — DAY3，13页PDF=约23张幻灯（前半为讲义式一页4张/后半一页2张，需单页高分辨率渲染；有重复页）

• 带宽：C波段4.6 THz；C+L 12.1 THz；Super C+L带宽再+~25%但容量增加<15%（引Ciena ECOC2024）
• 各扩展波段：E波段15.1 THz(降低C+L的SRS)；O波段18.1 THz(SCF低色散→低DSP复杂度)；U波段6 THz(G.654.B/D超低损单模)；“V”波段26 THz(HCF理论低损、气体吸收低)；T波段40+ THz仅HCF可用(高功率放大器成熟；引Microsoft与ORC OFC2026 PDP)
• 放大器成为瓶颈：SCF需跨OESCLU、输出至26 dBm、低NF宽带；HCF需避开气体吸收、功率尽量高。分为限带(掺杂光纤)与可配置(SOA、Raman、OPA)
• HCF光谱兼容：T波段(Yb)带宽大但HCF中损耗最高；O(P-Bi)、SC(Tm/Er)带宽好损耗中；VW波段气体吸收峰但理论损耗最低（引Mahdiraji OFC2026 Th4B.8；Petrovich 2025；Zhang 2022）
• Why S-band now：与C相邻+~9 THz；标准硅光纤与HCF损耗色散可控；宽带调制器/相干接收/滤波器/WSS已覆盖S波段；可在现有C+L基础设施上扩展。主要挑战：真实WDM负载下的饱和输出功率与稳定增益/NF
• 已发表S波段放大：TDFA、Raman、BDFA、混合BiEr、SOA均可给有效增益；集总放大器NF约4–8 dB；DRA有效NF可为负；小信号增益不能作为部署指标
• Raman：DRA增益16.7 dB、有效NF -2.7 dB、泵浦943 mW(@-2.3 dBm)；LRA增益16.6–17.5 dB、NF 4.1–9.4 dB、泵浦0.9–1.4 W
• TDFA：增益14–19.5 dB，NF 5–7.5 dB，3dB带宽~50 nm，PCE 5–15%；长距验证 1050 km 13.0 dB SNR、1650 km 11.3 dB；限制：S波段总饱和输出19 dBm
• 1050 km传输对比：DRA 14.2 dB SNR > TDFA 13.0 dB > 10km IDF LRA 11.6 dB（Pratiwi IEEE PTL 38(5) 2026）
• SOA：增益16.5–19.8 dB，NF 5.5–7.5 dB，带宽>100 nm，电光PCE~30%；超宽带SOA已支持>100 Tb/s over 100 km
• S波段BDFA：400 m Ge-BDF，1425 nm双向泵浦，0 dBm输入增益10.6–21.2 dB、NF 5.9–7.8、PCE 13.9%；0 dBm下带内增益差~10 dB；首个覆盖全S波段的BDFA（Donodin OL 50, 2025）
• 混合BiEr（EDF+BDF两级）：1490–1560 nm无缝S+C 9 THz，增益>20 dB，NF<6 dB，输出23 dBm，光PCE 20%，无Raman级（Mikhailov OFC2026 Tu3D.3）
• 多rail意义：传统每rail需DEMUX+S放+C放+MUX；无缝S+C每rail一条增益链
• 汇总表：TDFA/DRA/LRA/S-BDFA/混合BDFA-EDFA/SOA的增益、NF、BW、PCE与限制；输出功率普遍19–20 dBm，混合BiEr与SOA约23 dBm
• S+C+L传输记录图：Puttnam’22 54km ~245 Tb/s；Yang’25 39km ~203 Tb/s；Zhao’22 209km ~200 Tb/s；Renaudier’19 300km ~107 Tb/s 等
• 结论：S波段是C+L之外强的近期扩展，但没有通用”最佳”放大器；部署限制=负载下饱和输出功率、WDM负载下增益平坦；DRA长距OSNR最好、TDFA成熟、SOA带宽/集成、混合BiEr 23dBm 9THz、BDFA全硅新路线

09 NEC Labs America（Fatih Yaman）“Power Efficient Multi Petabit Submarine Cables” — DAY1 A2 功耗墙 Su2-B-05，13页

• 背景：海缆功耗<25 kW（约20个美国家庭）；供电限制=从一端跨洋给中继器供电，~18 kV；决定因素是$/bit而非Eb(pJ/bit)，但二者强相关；比较限定于17mm单缆
• 需求（TeleGeography）：跨大西洋容量需求2035年约18 Pbps，绝大部分需新建海缆；高安装成本与地缘不稳定→偏好Pb级系统
• SDM提升功效：容量公式 C≈2B·M·log2(1+SNR/Γ)；光纤参数 SCF 0.145 dB/km、Aeff 110；UC2CF 0.150、110、XT -60 dB/100km、FIFO 0.2 dB；UC4CF 0.155、80、-50、0.3 dB。7000 km、60km跨段，24FP时容量：SCF0.8、2CF1.1、4CF~1.35 Pb/s
• 商用MCF海缆SOTA：48根200µm 2芯光纤@17mm缆；48 amp/pair FIFO中继器；缆与中继器工厂升级至每年20 Mm Pb级系统产能；Google-NEC台湾-菲律宾-美国海缆MCF ~1500 km段已部署；“跨洋Pb级系统即将到来”（Yasuhara SubOptic 2025）
• MC-EDFA集成路线：标准扇出→侧抛WDM耦合器(OFC2021)→带扇入合束器(OFC2023)→双向隔离器(ECOC2025)；仍在进行中（功耗与空间）
• 能效表(<24FP)：7000 km SCF 28 / 2CF 20 / 4CF 17 pJ/b；9000 km 38/30/30；12000 km 47/47/55 pJ/b。>12 Mm时SCF在18kV下已足够，短距离SDM收益更大
• 中继器效率链 ηE=ηEE×ηEO×αC×ηOO×αpassive，“大幅改进很难”
• 供电：17mm缆电阻0.8 Ω/km已认证难再降；Vpfe 18 kV已认证，再提高需全新设计保证25年机电完整性；非常规：双端馈电(DEF)、分支辅助供电
• SEF vs DEF：SEF最大18 kV但分路故障下业务存活；DEF正常36 kV，但分路故障时中断至修复
• 分支辅助供电：中间登陆点额外PFE；SEF@48CP ~6,500 km → 单登陆辅助延伸至+9000 km；未来可在分支点再生（需2倍芯数）
• 应用：跨大西洋 6700 km：48CP、17mm、2CF、中继器17 dBm、跨段80–100km、PFE 18kV/22kW、~1 Pb/s；跨太平洋I直连 9000 km：中继器14 dBm、60–80km、~0.7 Pb/s；跨太平洋II中功率：~17 dBm、80–100km、~0.8 Pb/s
• 结论：SDM有效；跨大西洋20 pJ/b仍有空间，跨太平洋50 pJ/b，SDM收益在此饱和；短期大幅扩容需重构供电范式（超越单端馈电、分支辅助供电）

10 NTT（Megumi Asada 等）Tu1-F5 “光接入网故障管理联动RAN控制实现快速恢复” — DAY3 Tu1-F 10:15，12页

• 问题：6G业务要求处处可靠的光接入网；RAN功能拆分(RU/DU/CU)灵活部署，RAN可靠性依赖光接入连接；为所有基站提供光备份路径不现实
• 传统：SMO/RIC靠CU/DU数据间接检测光故障，控制周期≥~1 s，恢复需数秒，不满足6G实时业务
• 方案：光辅助RAN控制——光接入网控制器OAN-C高频直接采集光功率(30 ms周期)、阈值检测、直接通知Near-RT RIC(亚秒周期)触发切换(HO)
• 实验：OpenAirInterface CU/DU + FlexRIC；光开关、OpenFlow交换机；Ping 100 ms间隔
• 结果1：中断时间 1.63 s → 0.54 s，降低1.09 s（-66.9%，10次试验最短值）
• 结果2：故障到HO指令平均时间 1.5 s → 0.11 s + 0.007 s（-92.3%）；最大检测+通知0.19 s；HO本身~0.5 s不变（0.50 vs 0.51 s）
• 结论：光辅助通知无需光备份路径即可快速恢复；支持高可靠6G业务